onsemi SMUN5313DW1T3G

onsemi SMUN5313DW1T3G

Артикул: C896926 Part Number: SMUN5313DW1T3G Производитель: onsemi
от 0.034000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.092500 ₽
200 шт. 0.035800 ₽
500 шт. 0.034600 ₽
1000 шт. 0.034000 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество -
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 250mW
Тип NPN+PNP
Коэффициент усиления по постоянному току 80
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Рабочая температура -55℃~+150℃
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) -
Максимальное входное напряжение (VI(off)) -
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 47kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

80 250mW 100mA 50V SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS