onsemi SMUN5114T3G

onsemi SMUN5114T3G

Артикул: C896922 Part Number: SMUN5114T3G Производитель: onsemi
от 0.277900 ₽ В наличии: 10 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.289200 ₽
10 шт. 0.284400 ₽
30 шт. 0.281100 ₽
100 шт. 0.277900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Количество 1 PNP Pre-Biased
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 202mW
Коэффициент усиления по постоянному току 80
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.4V@1mA,0.2V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 500mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 13kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 0.25
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

50V 80 100mA 202mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SC-70 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS