onsemi SMMUN2111LT3G

onsemi SMMUN2111LT3G

Артикул: C896912 Part Number: SMMUN2111LT3G Производитель: onsemi
от 0.016600 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.045300 ₽
200 шт. 0.017600 ₽
500 шт. 0.017000 ₽
1000 шт. 0.016600 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Количество 1 PNP Pre-Biased
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 246mW
Коэффициент усиления по постоянному току 35
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 2.5V@10mA,0.3V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 800mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

50V 35 100mA 246mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS