Транзистор предварительное смещение 50V SC-59

Транзистор предварительное смещение 50V SC-59

Артикул: C896808 Part Number: MUN2211T3G Производитель: onsemi
от 0.152900 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.252200 ₽
50 шт. 0.209800 ₽
150 шт. 0.191700 ₽
500 шт. 0.169000 ₽
2500 шт. 0.159000 ₽
5000 шт. 0.152900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 230mW
Коэффициент усиления по постоянному току 60
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.8V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 1.2V
Выходное напряжение (VO(on)) 200mV
Входной резистор 13kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 230mW поверхностный монтаж SC-59