onsemi MMBTA64LT3G

onsemi MMBTA64LT3G

Артикул: C896779 Part Number: MMBTA64LT3G Производитель: onsemi
от 0.011900 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.032200 ₽
200 шт. 0.012500 ₽
500 шт. 0.012100 ₽
1000 шт. 0.011900 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 30V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 300mW
Рабочая температура -65℃~+150℃
Коэффициент усиления по постоянному току 20000@5V,100mA
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V@100mA,100uA
Ток отсечки коллектора 100nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 10V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

30V 20000@5V,100mA 100mA PNP SOT-23 одиночные биполярные транзисторы RoHS