JFET прерыватель P-канальный - обеднение
Артикул: C896766
Part Number: MMBFJ175LT3G
Производитель: onsemi
от 0.471200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.737600 ₽ |
| 10 шт. | 0.623900 ₽ |
| 30 шт. | 0.575200 ₽ |
| 100 шт. | 0.515100 ₽ |
| 500 шт. | 0.487400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.471200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 3V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 30V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 125Ω |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 7mA |
| Входная ёмкость Ciss | 11pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
Описание
1 P-канальный 225mW 7mA 125Ω 30V SOT-23 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS