Двойной, N-канальный MOSFET, малый сигнальный, XLLGA6
Артикул: C896491
Part Number: NTND31015NZTAG
Производитель: onsemi
от 0.325000 ₽
В наличии: 47 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.334700 ₽ |
| 10 шт. | 0.329800 ₽ |
| 30 шт. | 0.328200 ₽ |
| 100 шт. | 0.325000 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 200mA |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 800mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Ciss) | 12.3pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 3.4pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
20V 200mA 125mW 800mΩ@4.5V 1V 2 N-канальный XLLGA-6(0.6x0.9) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS