Цифровой транзисторы (BRT), NPN транзисторы с монолитный смещение резистор сеть
Артикул: C896465
Part Number: NSVDTC123JM3T5G
Производитель: onsemi
от 0.058900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.109900 ₽ |
| 50 шт. | 0.087900 ₽ |
| 150 шт. | 0.077000 ₽ |
| 500 шт. | 0.068700 ₽ |
| 2500 шт. | 0.062100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.058900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.047 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 80 100mA 300mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-723 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS