onsemi NSVDTC123EM3T5G
Артикул: C896464
Part Number: NSVDTC123EM3T5G
Производитель: onsemi
от 0.035200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.095900 ₽ |
| 200 шт. | 0.037100 ₽ |
| 500 шт. | 0.035800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.035200 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 260mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 8 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 2.2kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 8 100mA 260mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-723 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS