onsemi NSVDTA114EM3T5G
Артикул: C896457
Part Number: NSVDTA114EM3T5G
Производитель: onsemi
от 0.035200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.095900 ₽ |
| 200 шт. | 0.037100 ₽ |
| 500 шт. | 0.035800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.035200 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 260mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 800mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 35 100mA 260mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-723-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS