onsemi NSBC123JDP6T5G
Артикул: C896380
Part Number: NSBC123JDP6T5G
Производитель: onsemi
от 0.043400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.118400 ₽ |
| 200 шт. | 0.045800 ₽ |
| 500 шт. | 0.044200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.043400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 339mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 800mV@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 600mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 2.9kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.056 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80 339mW 100mA 50V 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-963 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS