onsemi NSBC114YDP6T5G
Артикул: C896373
Part Number: NSBC114YDP6T5G
Производитель: onsemi
от 0.113000 ₽
В наличии: 1000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.221700 ₽ |
| 50 шт. | 0.175300 ₽ |
| 150 шт. | 0.155500 ₽ |
| 500 шт. | 0.130600 ₽ |
| 2500 шт. | 0.119600 ₽ |
| 5000 шт. | 0.113000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 339mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.25 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80 339mW 100mA 50V 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-963-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS