onsemi NSBA143EDP6T5G
Артикул: C896354
Part Number: NSBA143EDP6T5G
Производитель: onsemi
от 0.026500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.072300 ₽ |
| 200 шт. | 0.028000 ₽ |
| 500 шт. | 0.027000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.026500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 339mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 15 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.8V@20mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 6.1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,1.0mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
15 339mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT-963 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS