onsemi NSBA114YF3T5G
Артикул: C896342
Part Number: NSBA114YF3T5G
Производитель: onsemi
от 0.023600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.064400 ₽ |
| 200 шт. | 0.024900 ₽ |
| 500 шт. | 0.024100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.023600 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 297mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.4V@1mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.25 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 80 100mA 297mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-1123-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS