onsemi NSVBC114EPDXV6T1G

onsemi NSVBC114EPDXV6T1G

Артикул: C895135 Part Number: NSVBC114EPDXV6T1G Производитель: onsemi
от 0.045600 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.124300 ₽
200 шт. 0.048100 ₽
500 шт. 0.046400 ₽
1000 шт. 0.045600 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество -
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Ток коллектора (Ic) 100mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 357mW
Тип -
Коэффициент усиления по постоянному току 35
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Рабочая температура -55℃~+150℃
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) -
Максимальное входное напряжение (VI(off)) -
Выходное напряжение (VO(on)) -
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

35 357mW 100mA 50V SOT-563 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS