onsemi NSTB1002DXV5T1G
Артикул: C895127
Part Number: NSTB1002DXV5T1G
Производитель: onsemi
от 0.037600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.102400 ₽ |
| 200 шт. | 0.039700 ₽ |
| 500 шт. | 0.038300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.037600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 500mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 61kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 400mV@50mA,5mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80 500mW 100mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-553-5 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS