onsemi SMUN5212T1G

onsemi SMUN5212T1G

Артикул: C894398 Part Number: SMUN5212T1G Производитель: onsemi
от 0.176300 ₽ В наличии: 70 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.182400 ₽
50 шт. 0.179800 ₽
150 шт. 0.178000 ₽
500 шт. 0.176300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 202mW
Коэффициент усиления по постоянному току 60
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 2.5V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 800mV@100uA,5V
Выходное напряжение (VO(on)) 200mV
Входной резистор 22kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

50V 60 100mA 202mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SC-70 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS