onsemi SMUN5114DW1T1G
Артикул: C894391
Part Number: SMUN5114DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.288600 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.298600 ₽ |
| 50 шт. | 0.294300 ₽ |
| 150 шт. | 0.291400 ₽ |
| 500 шт. | 0.288600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 900mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.21 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
80 187mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT-363-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS