Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C894389
Part Number: SMUN5113DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.422500 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.435400 ₽ |
| 10 шт. | 0.429000 ₽ |
| 30 шт. | 0.425700 ₽ |
| 100 шт. | 0.422500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 256mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 8 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 47kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 256mW поверхностный монтаж SOT-363