Транзистор предварительное смещение 50V SC-59

Транзистор предварительное смещение 50V SC-59

Артикул: C894376 Part Number: SMUN2111T1G Производитель: onsemi
от 0.088300 ₽ В наличии: 460 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.176900 ₽
50 шт. 0.139100 ₽
150 шт. 0.122900 ₽
500 шт. 0.102700 ₽
3000 шт. 0.093700 ₽
6000 шт. 0.088300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип PNP
Количество 1 PNP Pre-Biased
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 230mW
Коэффициент усиления по постоянному току 35
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 2.5V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 1.2V
Выходное напряжение (VO(on)) 200mV
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 1
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 230mW поверхностный монтаж SC-59