onsemi SMMBFJ309LT1G
Артикул: C894336
Part Number: SMMBFJ309LT1G
Производитель: onsemi
от 0.231100 ₽
В наличии: 300 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.454000 ₽ |
| 10 шт. | 0.358900 ₽ |
| 30 шт. | 0.319600 ₽ |
| 100 шт. | 0.268800 ₽ |
| 500 шт. | 0.245900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.231100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 1V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 25V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Ток стока (Idss) | 30mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5pF |
| Конфигурация | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
Описание
30mA 225mW 25V 1 N-канальный SOT-23-3 радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS