onsemi NTJD1155LT2G
Артикул: C894002
Part Number: NTJD1155LT2G
Производитель: onsemi
от 0.269700 ₽
В наличии: 260 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.286000 ₽ |
| 10 шт. | 0.279500 ₽ |
| 30 шт. | 0.274600 ₽ |
| 100 шт. | 0.269700 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel + P-Channel |
| Количество | 1 N-Channel + 1 P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 8V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1.3A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 175mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 400mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Входная ёмкость (Ciss) | - |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
8V 1.3A 175mΩ@4.5V 400mW 1V 1 N-канальный + 1 P-канальный SC-88-6 сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS