Транзистор предварительное смещение 50V SOT-353
Артикул: C893992
Part Number: NSVUMC5NT1G
Производитель: onsemi
от 0.189200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.196200 ₽ |
| 50 шт. | 0.193200 ₽ |
| 150 шт. | 0.191200 ₽ |
| 500 шт. | 0.189200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased (Base-Collector Junction) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 20 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.47 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-353