onsemi NSVTB60BDW1T1G
Артикул: C893990
Part Number: NSVTB60BDW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.044300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.120700 ₽ |
| 200 шт. | 0.046800 ₽ |
| 500 шт. | 0.045100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.044300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 150mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 2.55 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 500mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 140MHz |
| Ток отсечки коллектора | 0.1uA |
Описание
80 250mW 150mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP SC-88-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS