onsemi NSVMUN5212DW1T1G
Артикул: C893971
Part Number: NSVMUN5212DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.182300 ₽
В наличии: 11790 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.384300 ₽ |
| 10 шт. | 0.297300 ₽ |
| 30 шт. | 0.261200 ₽ |
| 100 шт. | 0.215200 ₽ |
| 500 шт. | 0.193800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.182300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 60 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.9V@5mA,200mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,0.3mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
60 250mW 100mA 50V 2 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS