Транзистор предварительное смещение 50V SOT-23-3
Артикул: C893952
Part Number: NSVMMUN2217LT1G
Производитель: onsemi
от 0.041700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.079600 ₽ |
| 10 шт. | 0.063300 ₽ |
| 30 шт. | 0.055200 ₽ |
| 100 шт. | 0.049100 ₽ |
| 500 шт. | 0.044200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.041700 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 246mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.47 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 246mW поверхностный монтаж SOT-23-3