onsemi NIS5132MN2TXG
Артикул: C893372
Part Number: NIS5132MN2TXG
Производитель: onsemi
от 0.946500 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.605700 ₽ |
| 10 шт. | 1.361000 ₽ |
| 30 шт. | 1.207600 ₽ |
| 100 шт. | 1.049300 ₽ |
| 500 шт. | 0.977500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.946500 ₽ |
Характеристики
| Тип полевого транзистора | Integrated FET |
| Количество каналов | 1 |
| Пороговое напряжение | - |
| Ток срабатывания | - |
| Пиковый выходной ток отдачи (Source) | - |
| Пиковый выходной ток поглощения (Sink) | 17uA |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 44mΩ |
| Напряжение питания | 9V~18V |
| Длина | 3mm |
| Ширина | 3mm |
| Высота | 1mm |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Особенности | Overcurrent Protection;Short-Circuit Protection;Overvoltage clamping protection;Thermal Protection;Overload protection;Under-voltage lockout |
Описание
9V~18V 1 DFN-10(3x3) регулирование и управление током RoHS