Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C891845
Part Number: MUN5336DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.362100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.713700 ₽ |
| 10 шт. | 0.570300 ₽ |
| 30 шт. | 0.497900 ₽ |
| 100 шт. | 0.427000 ₽ |
| 500 шт. | 0.384800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.362100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@3mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 130kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 187mW поверхностный монтаж SOT-363