Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C891827
Part Number: MUN5230DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.166100 ₽
В наличии: 5 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.318700 ₽ |
| 50 шт. | 0.253600 ₽ |
| 150 шт. | 0.225700 ₽ |
| 500 шт. | 0.190900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.175400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.166100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 3 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.7V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 1.3kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 187mW поверхностный монтаж SOT-363