onsemi MUN5216T1G
Артикул: C891826
Part Number: MUN5216T1G
Производитель: onsemi
от 0.012800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.034700 ₽ |
| 200 шт. | 0.013500 ₽ |
| 500 шт. | 0.013000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.012800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 202mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 160 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV@10mA,1mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 160 100mA 202mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SC-70-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS