Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C891816
Part Number: MUN5133DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.084300 ₽
В наличии: 145 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.161700 ₽ |
| 50 шт. | 0.128700 ₽ |
| 150 шт. | 0.114600 ₽ |
| 500 шт. | 0.096900 ₽ |
| 3000 шт. | 0.089000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.084300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 910mV@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 670mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 250mW поверхностный монтаж SOT-363