onsemi MUN5112DW1T1G
Артикул: C891805
Part Number: MUN5112DW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.427300 ₽
В наличии: 13 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.441900 ₽ |
| 10 шт. | 0.435400 ₽ |
| 30 шт. | 0.430600 ₽ |
| 100 шт. | 0.427300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 PNP Pre-Biased Transistors |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250mW |
| Тип | PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 60 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@5mA,200mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
60 250mW 100mA 50V 2 PNP со встроенными резисторами смещения транзисторы SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS