onsemi MMUN2217LT1G
Артикул: C891752
Part Number: MMUN2217LT1G
Производитель: onsemi
от 0.006800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.018400 ₽ |
| 200 шт. | 0.007200 ₽ |
| 500 шт. | 0.006900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.006800 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 246mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 35 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2.5V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 300mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 6.1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.56 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 35 100mA 246mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS