onsemi MMUN2130LT1G
Артикул: C891741
Part Number: MMUN2130LT1G
Производитель: onsemi
от 0.067700 ₽
В наличии: 3190 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.110500 ₽ |
| 50 шт. | 0.092100 ₽ |
| 150 шт. | 0.082900 ₽ |
| 500 шт. | 0.076000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.070500 ₽ |
| 6000 шт. | 0.067700 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 246mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 3 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 3 100mA 246mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS