NPN дарлингтона транзистор

NPN дарлингтона транзистор

Артикул: C891694 Part Number: MMBTA28 Производитель: onsemi
от 0.206000 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.381600 ₽
50 шт. 0.306700 ₽
150 шт. 0.274600 ₽
500 шт. 0.234600 ₽
3000 шт. 0.216700 ₽
6000 шт. 0.206000 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 80V
Ток коллектора (Ic) 800mA
Рассеиваемая мощность (Pd) 350mW
Рабочая температура -55℃~+150℃@(Tj)
Коэффициент усиления по постоянному току 10000
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 1.5V
Ток отсечки коллектора 500nA
Напряжение эмиттер–база VEBO 12V
Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) -
Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) 2V
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) 125MHz

Описание

80V 10000 800mA NPN SOT-23-3 одиночные биполярные транзисторы RoHS