onsemi FDMD8260LET60
Артикул: C890982
Part Number: FDMD8260LET60
Производитель: onsemi
от 1.574000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.294000 ₽ |
| 200 шт. | 1.661500 ₽ |
| 500 шт. | 1.603200 ₽ |
| 1000 шт. | 1.574000 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 67A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.5mΩ@10V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 44W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 49nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.745nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 22pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 558pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 67A 4.5mΩ@10V 44W 1.5V 2 N-канальный PQFN-12(3.3x5) сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS