Транзистор предварительное смещение 50V SC-75(SOT-416)
Артикул: C890586
Part Number: DTC123EET1G
Производитель: onsemi
от 0.085700 ₽
В наличии: 60 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.088500 ₽ |
| 50 шт. | 0.087300 ₽ |
| 150 шт. | 0.086500 ₽ |
| 500 шт. | 0.085700 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 8 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.2V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.9kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SC-75(SOT-416)