onsemi DTC114TET1G
Артикул: C890583
Part Number: DTC114TET1G
Производитель: onsemi
от 0.060100 ₽
В наличии: 140 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.062100 ₽ |
| 100 шт. | 0.061300 ₽ |
| 300 шт. | 0.060700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.060100 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 160 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.7V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5.0V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 160 100mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SOT-416-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS