onsemi DTA113EET1G
Артикул: C890571
Part Number: DTA113EET1G
Производитель: onsemi
от 0.066000 ₽
В наличии: 1470 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.070000 ₽ |
| 50 шт. | 0.068300 ₽ |
| 150 шт. | 0.067100 ₽ |
| 500 шт. | 0.066000 ₽ |
Характеристики
| Тип | PNP |
| Количество | 1 PNP Pre-Biased |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 3 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 2V@20mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 3 100mA 200mW PNP 1 PNP со встроенными резисторами смещения SC-75 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS