N-канальный JFET
Артикул: C890126
Part Number: 2SK2394-6-TB-E
Производитель: onsemi
от 0.369100 ₽
В наличии: 197 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.638500 ₽ |
| 10 шт. | 0.529100 ₽ |
| 30 шт. | 0.473600 ₽ |
| 100 шт. | 0.418100 ₽ |
| 500 шт. | 0.385400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.369100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 300mV |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | - |
| Ток стока (Idss) | 10mA |
| Входная ёмкость Ciss | 10pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 2.9pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
200mW 1 N-канальный 10mA TO-236-3 полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS