Мощность MosFET 60 V 46 A 16 mΩ один N-канальный
Артикул: C889915
Part Number: SVD5865NLT4G
Производитель: onsemi
от 0.498200 ₽
В наличии: 491 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.670000 ₽ |
| 10 шт. | 0.599000 ₽ |
| 30 шт. | 0.564400 ₽ |
| 100 шт. | 0.529700 ₽ |
| 500 шт. | 0.509200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.498200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 46A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 71W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 29nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.4nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 95pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 137pF |
Описание
60V 46A 2V 71W 13mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252(DPAK) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS