onsemi NSVJ5908DSG5T1G
Артикул: C889827
Part Number: NSVJ5908DSG5T1G
Производитель: onsemi
от 1.115200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.863300 ₽ |
| 10 шт. | 1.584100 ₽ |
| 30 шт. | 1.409800 ₽ |
| 100 шт. | 1.230900 ₽ |
| 500 шт. | 1.150700 ₽ |
| 1000 шт. | 1.115200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 300mV |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 15V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Ток стока (Idss) | 10mA |
| Входная ёмкость Ciss | 10.5pF |
| Проходная ёмкость (Crss) | 3.5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Конфигурация | - |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
Описание
2 N-канальный 300mW 10mA 15V SC-88AFL полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом (JFET) RoHS