onsemi NSVIMD10AMT1G
Артикул: C889826
Part Number: NSVIMD10AMT1G
Производитель: onsemi
от 0.549200 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.567000 ₽ |
| 10 шт. | 0.560500 ₽ |
| 30 шт. | 0.554000 ₽ |
| 100 шт. | 0.549200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 285mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 130Ω;13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV@10mA,1mA |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
100 285mW 500mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения SC-74R-6 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS