onsemi NSVDTC123JET1G
Артикул: C889820
Part Number: NSVDTC123JET1G
Производитель: onsemi
от 0.025400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.069300 ₽ |
| 200 шт. | 0.026800 ₽ |
| 500 шт. | 0.025900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.025400 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 2.9kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.056 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
50V 80 100mA 200mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SC-75-3 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS