Транзистор предварительное смещение 50V SOT-353
Артикул: C889780
Part Number: NSVB1706DMW5T1G
Производитель: onsemi
от 0.180400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.187000 ₽ |
| 50 шт. | 0.184200 ₽ |
| 150 шт. | 0.182300 ₽ |
| 500 шт. | 0.180400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN Pre-Biased (Emitter-Coupled) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 385mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.3V@5mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 200mV |
| Входной резистор | 6.1kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 0.185 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 250mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 385mW поверхностный монтаж SOT-353