onsemi NSTB60BDW1T1G
Артикул: C889761
Part Number: NSTB60BDW1T1G
Производитель: onsemi
от 0.015600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.042300 ₽ |
| 200 шт. | 0.016400 ₽ |
| 500 шт. | 0.015800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.015600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 150mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 385mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 28.6kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 2.55 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 140MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
80 385mW 150mA 50V 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP SOT-363 сборки биполярных транзисторов со встроенными резисторами смещения RoHS