Infineon 2A200HB12C2F
Артикул: C879892
Part Number: 2A200HB12C2F
Производитель: Infineon
от 96.619700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 97.774800 ₽ |
| 10 шт. | 96.619700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.1kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.25V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.4uC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 6.4V |
| Входная ёмкость (Cies) | 11nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 470pF |
| Время задержки включения Td(on) | 130ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 13.5mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 12.5mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.1kW 200A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы