NPN кремний транзистор, высокоскоростной импульсный транзистор
Артикул: C84924
Part Number: UN1066G-AB3-R
Производитель: UTC
от 0.074100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.139700 ₽ |
| 50 шт. | 0.111500 ₽ |
| 150 шт. | 0.097400 ₽ |
| 500 шт. | 0.086800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.078400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.074100 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 15V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.5W |
| Ток коллектора (Ic) | 6A |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 250 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Ток отсечки коллектора | 0.1uA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | - |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | - |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | - |
| Соотношение сопротивлений резисторов | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 100MHz |
Описание
15V 250 6A NPN SOT-89 одиночные биполярные транзисторы RoHS