12V двойной N-канальный MOSFET-транзисторы
Артикул: C845135
Part Number: PDB1216E
Производитель: Potens
от 0.114700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.239600 ₽ |
| 50 шт. | 0.190200 ₽ |
| 150 шт. | 0.169000 ₽ |
| 500 шт. | 0.142600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.124200 ₽ |
| 6000 шт. | 0.117200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.115700 ₽ |
| 21000 шт. | 0.114700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 12V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 6A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.25W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 600mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 19mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 7nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 370pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 48pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±8V |
Описание
1.25W 12V 6A 600mV 19mΩ@4.5V 2 N-канальный N-канальный DFN-6-EP(2x2) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)