Траншейный P-MOSFET-100V, 59mΩ, -26A

Траншейный P-MOSFET-100V, 59mΩ, -26A

Артикул: C841381 Part Number: CRTD700P10L Производитель: CRMICRO
от 0.239800 ₽ В наличии: 2325 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.484900 ₽
50 шт. 0.402300 ₽
150 шт. 0.367000 ₽
500 шт. 0.322800 ₽
2500 шт. 0.251600 ₽
5000 шт. 0.239800 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 P-Channel
Тип P-Channel
Напряжение сток–исток 100V
Конфигурация -
Непрерывный ток стока (Id) 26A
Рассеиваемая мощность (Pd) 102W
Рабочая температура -55℃~+150℃
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 2V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 59mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 53nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 2.859nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 68pF
Выходная ёмкость (Coss) 93pF
Напряжение затвор–исток (Vgs) ±20V

Описание

102W 100V 26A 2V 59mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS